Светодиодные матричные экраны для отображения физуальной информации

А.С. Гаркавенко, М.С. Гатало, А.В. Шепелев

Аннотация:
Анализируются возможности и перспективы использования светодиодных матричных экранов в устройствах отображения визуальной информации оптических компьютеров. Приводятся основные параметры таких экранов, оцениваются возможности их оптимизации.

Литература:

  1. Букия И.Я., Месхи Г.И., Чиковани Р.И., Школь­ник А.Л. Современное состояние разработок многоэлементных матриц на светоизлучающих диодах // Зарубежная электронная техника, 1975, № 19, с. 37-56.
  2. Борисюк А.А. Матричные системы отображения информации. Киев: Техника, 1980.
  3. Алферов Ж.И. Полупроводниковые гетероструктуры // Физика и техника полупроводников, 1977, т. 2, № 11, с. 2072-2083.
  4. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З. и др. Инжекционная люминес­ценция эпитаксиальных гетеропереходов в системе GaP - GaAs // Физика твердого тела, 1967, т. 9, вып. 1, с. 279.
  5. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.И. и др. Источники спонтанного излучения на основе структур с гетеропереходами в системе AlAs - GaAs // Физика и техника полупроводников, 1969. т. 3, вып. 6, с. 930.
  6. Валиев К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития. М.: Наука, 1986.
  7. Брагин Н.В., Бондарь С.А., Жамерко В.Н. и др. Эффек­ты переизлучения в многослойных гетероструктуpax: 2-я Всесоюзная конфе­ренция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. Ашхабад, 1978.
  8. Брагин Н.В., Бондарь С.А., Лебедев В.В. и др. Переизлучающие гетероэпитаксизльные структуры AlxGa1-хAs для систем передачи и отображения информации // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводнико­вые приборы, 1979, вып. 8 (134).
  9. Коган Л.М., Вишневская Б.И., Ковыкин С.М. и др. Светоизлучающие диоды с управляемым цветом свечения // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 1980, вып. 3 (138), с. 112.
  10. Любяницкая Е.Б., Сушков В.П., Титова Л.А. Полупро­водниковые источники света с перестраиваемым цветом свечения: Всесоюзное научно-техническое совещание. Дальнейшее развитие оптоэлектроники. М.:
    Сов. радио, 1977, с. 33.
  11. Демченко A.M., Кесаманлы Ф.П. Светодиоды на основе нит­рида галлия // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев: Наукова думка, 1976, № 23.
  12. Сушков В.П., Юрков С.И. Индикаторы на борту летательных ап­паратов // Обзор по электронной технике. М., 1976, вып. 1(521). Сер. Полупроводниковые приборы, с. 67.
  13. Абрамов B.C., Сушков Е.П., Юрков С.И. Применение инди­каторов на борту летательных аппаратов в зависимости от условий внешней освещенности // Обзор по электронной технике. М., 1978, вып. 2(531). Сер. Полупроводниковые приборы, с. 36.
  14. Сушков В.П. Многоэлементные полупроводниковые индикаторы // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, вып. 3 (138), 1980, с. 3-29.
  15. Лебнер Е.Е. Перспективы применения электролюминесцентных твер­дых материалов в системах индикации: Тр. Института инженеров по электро­технике и радиоэлектронике, 1973. т. 61, № 7, с. 46-79.
  16. Великович Д.Л., Голубев Г.П., Кауфман И.Х., Лу­чинский Д.Г. Оптическая бистабильность и мультистабильность в трех-зеркальной системе связанных резонаторов // Письма в журнал технической физики, 1987, т. 13, № 3, с. 161-165.
  17. Великович А.Л., Голубев Г.П., Лучинский Д.Г. Ди­намика мультистабильного пропускания в кристаллах GaSe // Письма в журнал технической физики, 1986, т. 12, № 14, с. 879-885.
  18. Golubev G.P., Luchinsky D.G., Velikovich A.L., Liberman M.A. Optikal Hysteresis and Multistability in a Double Re­sonant System with an Additional Feedback // Optics Communications, 1987, v. 62, N 4, p. 181-186.
  19. Будущее технологии - молекулярная электроника // Зарубежная ра­диоэлектроника, 1988, № 1, с. 59-64.

© 2009, ИСОИ РАН
Россия, 443001, Самара, ул. Молодогвардейская, 151; электронная почта: ko@smr.ru ; тел: +7 (846 2) 332-56-22, факс: +7 (846 2) 332-56-20